কোনটি ভাল সৌর কোষ, টাইপ এন বা টাইপ পি?

বন্ধুরা, আমি এই দুই ধরনের সৌর কোষের কথা শুনেছি। আমি আমার বাড়িতে সোলার প্যানেল ইনস্টল করতে চাইলে কোনটি সবচেয়ে সাশ্রয়ী?

সুপ্রভাত,
GPT এর প্রতিক্রিয়া

এন-টাইপ এবং পি-টাইপ সোলার সেলগুলির উত্পাদনে সূক্ষ্ম পার্থক্য রয়েছে, তবে উভয়ই সাধারণত ফটোভোলটাইক শিল্পে ব্যবহৃত হয়। এন-টাইপ কোষগুলির কার্যক্ষমতা পি-টাইপ কোষের তুলনায় সামান্য বেশি, তবে সেগুলি আরও ব্যয়বহুল¹²। যাইহোক, এটি লক্ষ করা গুরুত্বপূর্ণ যে দুটি ধরণের মধ্যে পছন্দ ফোটোভোলটাইক ইনস্টলেশনের নির্দিষ্ট চাহিদার উপর নির্ভর করে। উদাহরণস্বরূপ, যদি উপলব্ধ পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফল সীমিত হয়, তাহলে N-টাইপ কোষগুলি পছন্দনীয় হতে পারে কারণ তাদের কম-আলোর কর্মক্ষমতা ভাল। যদি বিকিরণ প্রতিরোধের একটি গুরুত্বপূর্ণ ফ্যাক্টর হয়, P-টাইপ কোষগুলি অগ্রাধিকারযোগ্য হতে পারে কারণ তাদের বিকিরণ এবং অবক্ষয়ের উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে¹। শেষ পর্যন্ত, দুই ধরনের মধ্যে পছন্দ ফোটোভোলটাইক ইনস্টলেশনের নির্দিষ্ট চাহিদার উপর নির্ভর করে।

সূত্র: Bing এর সাথে কথোপকথন, 12/10/2023
(1) N টাইপ করুন বা P কোষ টাইপ করুন: কীভাবে চয়ন করবেন - ইকো গ্রিন এনার্জি। https://www.eco-greenenergy.com/fr/cell ... t-choisir/.
(2) Type N এবং Type P স্ফটিক সিলিকন সোলার সেলের আলোচনা। https://www.dsnsolar.com/info/discussio ... 59977.html.
(3) পি-টাইপ হেটারোজাংশন সৌর কোষ একটি অর্জন করে। https://www.pv-magazine.fr/2022/11/10/d ... u-gallium/.
(4) সেরা সোলার প্যানেল নির্বাচন করা | গাইড এবং ডিক্রিপশন (2023) - Otovo। https://www.otovo.fr/blog/le-solaire-et ... u-solaire/.

এই ধরনের কোষ হেটারোজাংশন কোষ দ্বারা প্রতিস্থাপিত হবে, যা উত্পাদন করতে আরও দক্ষ এবং সস্তা:

Heterojunction এর সুবিধা
আরো লাভজনক
একটি সহজ উপাদান নকশা এবং তাদের উত্পাদন এবং একীকরণের জন্য প্রয়োজনীয় কয়েকটি পদক্ষেপের সাথে, হেটারোজাংশন সেলগুলি বিদ্যুতের দামের উপর প্রভাব কম রাখার পাশাপাশি কোষের সমগ্র জীবনকালের জন্য কম খরচে উৎপাদনের লক্ষ্য অর্জনের প্রতিশ্রুতি দেখায়। সম্ভব.

আরও পরিবেশগত
হেটেরোজাংশন কোষগুলির পরিবেশগত প্রভাবও কম তাপমাত্রার উত্পাদন প্রক্রিয়ার জন্য কম ধন্যবাদ: হেটেরোজাংশন ফটোভোলটাইক কোষকে অন্যান্য জংশনের কোষগুলির তুলনায় অনেক কম তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা প্রয়োজন।

একটি হোমোজাংশন সেলের বিপরীতে যা শুধুমাত্র তার সামনের দিকটি (সূর্যের দিকের একটি) ব্যবহার করে বিদ্যুৎ তৈরি করে, হেটারোজাংশন সেল উভয় দিকেই একত্রিত করতে পারে। শুধুমাত্র সামনের দিক দ্বারা শোষিত আলোই বৈদ্যুতিক শক্তি উৎপন্ন করে না, কিন্তু পৃষ্ঠের পিছনের দিকটি ভূমি দ্বারা প্রতিফলিত সূর্যের রশ্মির অংশকে ধরে। এর প্রতিফলিত শক্তির উপর নির্ভর করে, কোষ দ্বারা প্রায় 10% থেকে 20% শক্তি উত্পন্ন হয়। বাইফেসিয়াল হোমোজেকশন প্রযুক্তিও বিদ্যমান, তবে তাদের অবশ্যই তাদের শক্তির কিছু অংশ পিছনের মুখের অবদানের জন্য সামনের মুখের উপর উৎসর্গ করতে হবে।

আরো দক্ষ
হোমোজেকশন ফটোভোলটাইক সেল বর্তমানে পলিক্রিস্টালাইনের জন্য 19% এবং মনোক্রিস্টালাইনের জন্য 22% দক্ষতা অর্জন করে। হেটারোজংশন ফটোভোলটাইক কোষ দ্বারা গঠিত একটি বাজারজাত মডিউলের জন্য, কার্যক্ষমতা উৎপাদনে 24% এর বেশি এবং প্রাক-সিরিজে 25% এর কাছাকাছি পৌঁছাতে শুরু করে।

https://www.cea.fr/comprendre/Pages/ene ... iques.aspx

রিমন্ডো লিখেছেন:আমার জন্য, আমি প্রশ্নটি বুঝতে পারছি না।

একটি PV প্যানেলে, N (অতিরিক্ত ইলেকট্রন সহ) এবং P (ইলেক্ট্রন ঘাটতি সহ) ডোপড স্তরগুলি সহাবস্থান করে।

এখানে আরো ব্যাখ্যা:

একটি ইলেক্ট্রন সরানো (অর্থাৎ একটি কণাকে সরানো) একটি গর্ত (অনুপস্থিতি) সরানো থেকে অন্তত গতিশীলতায় ভিন্ন
এই কণাগুলির একটির)। আমাকে জিজ্ঞাসা করবেন না কেন, আমি এমন কোন ব্যাখ্যা খুঁজে পাইনি যা আমি সক্ষম
নিজেকে কল্পনা করতে

একটি লোড এর গতিশীলতা কি?

একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের প্রভাবের অধীনে E (এইভাবে আমরা জিনিসগুলিকে মডেল করেছি), কণা
ভেক্টরভাবে একটি শক্তির মধ্য দিয়ে যায় F = -qE এই বলের প্রভাবে কণা বা অ্যান্টি-পার্টিক্যাল (ইলেকট্রন
বা গর্ত) একটি পরিবাহী পদার্থ M-এর মধ্যে, F-এর সমানুপাতিক গড় গতি অর্জন করে।

এই গতি V এর মূল্য uF, u নির্ভর করে বিবেচিত উপাদানের উপর এবং আমরা একটি গর্ত বা ইলেকট্রন সম্পর্কে কথা বলছি কিনা (একটি কন্ডাকটরের মধ্যে একটি ইলেকট্রন বা একটি ইলেকট্রন গর্তের চলাচলের গড় গতি নির্ভর করে সংঘর্ষ এবং রিবাউন্ডের সংখ্যার উপর। উপাদানের পারমাণবিক কাঠামো সময়ের প্রতিটি একক এর উপর চাপিয়ে দেয়)।

উদাহরণ স্বরূপ, সিলিকনে (ফটোভোলটাইক প্যানেল যে সিলিকন ব্যবহার করে), গর্ত প্রতি পরিবাহিতা প্রতি ইলেকট্রনের পরিবাহনের চেয়ে 3 গুণ কম: সিলিকনে, একই বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের প্রভাবে ই (উদাহরণস্বরূপ সম্ভাব্য বিদ্যমান পার্থক্য দ্বারা প্ররোচিত হয়) একটি এন-ডোপড জোন (বেশি ইলেকট্রন) এবং একটি পি-ডোপড জোন (কম ইলেকট্রন) এর মধ্যে গর্তগুলি ইলেকট্রনের চেয়ে তিনগুণ ধীর গতিতে চলে।

অন্য কথায়, সিলিকনে, পি-ডোপড জোনে পরিবাহিতা তিনগুণ কম
এন-ডোপড জোনের চার্জগুলির মধ্যে: ইলেকট্রনগুলি ইলেকট্রনের গর্ত/অনুপস্থিতির চেয়ে 3 গুণ দ্রুত গতিতে চলে।

প্রবাহের পর থেকে প্রবাহের তীব্রতার উপর সরাসরি প্রভাব ফেলে পরিবাহী (চার্জের কিনা)
বিদ্যুত, লিটার জল, বা একটি সেতুর নীচে গাড়ি) এছাড়াও চলাচলের গতির উপর নির্ভর করে
প্রশ্ন করা জিনিস, জিজ্ঞাসা করা প্রশ্নের একটি উত্তর প্রদর্শিত হতে পারে.

আপনারা দুজনেই সেলের কার্যকারিতা নিয়ে কথা বলছেন, এর উৎপাদনের ধরন নয়...

অস্কারো এটা ছবিতে করে, এটা সবার জন্য পরিষ্কার https://www.oscaro-power.com/guide/fr_F ... voltaiques
অন্যদিকে, সংশ্লিষ্ট প্যানেলগুলি খুঁজে পাওয়া সহজ নয়... সবচেয়ে দক্ষ, সবচেয়ে ব্যয়বহুল নয়